P沟道MOS管的完全导通条件是

P沟道增强型场效应管导通条件

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。
栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。
增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。
耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。

电路分析关于PMOS管的导通条件，请大神帮忙分析一下？

这个大于小于的，因为是负数，看起来可能不够直观；

其实就是 |Ugs| >= |VT| ，场效应管就导通；

如果 VT为正值时，就是 Ugs >= VT；管子导通，反之截止；

如果 VT为负值时，就是 Ugs =< -VT；管子导通，反之截止；

另外，当 Vi=0， 就是Tp的栅极电压 Ug=0，此时 Tp 导通，Tn截止；

因为Tp其漏极d点并没有接地（与你前面的问题是不一样的），

那么 Usd < Usg，即 g极电压会比 d极电压要低；

谁能帮我解答一下，P沟道增强型场效应管的导通条件是什么？求急解……

P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位越低于漏极电位，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。

P沟道增强型场效应管的G,S(源极),D的接法及导通条件

场效应管的导通条件为VGS的电压，而非G极电压，如果用P沟道的MOS，S级需要接比G极高的电压。流过电流的大小可通过限流，稳压控制，用单片机控制场效应管我建议还是用N沟道的MOS比较好，因为单片机控制低电平控制PMOS时，S极的电压只要只要大于0V，容易使MOS导通。

场效应管分为N沟道和P沟道，它的导通条件分别是什么？

都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。